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簡(jiǎn)要描述:NH-T4型全譜直讀光譜儀采用標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù),應(yīng)用了日本濱松公司的正品CMOS信號(hào)采集元件,每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù),與光譜儀技術(shù)同步,采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源。這款CMOS光譜儀,既包含了CCD光譜儀的全譜特性,又具備PMT光譜儀對(duì)非金屬元素的極低檢出限,整機(jī)設(shè)計(jì)合理,操作簡(jiǎn)單易學(xué),具有數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,長(zhǎng)期穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
產(chǎn)品型號(hào): NH-T4
所屬分類(lèi):NH-T4型全譜直讀光譜儀
更新時(shí)間:2024-11-22
1.NH-T4型全譜直讀光譜儀主要技術(shù)參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域 | 冶金、鑄造、機(jī)械、科研、商檢、汽車(chē)、石化、造船、電力、航空、核電、金屬和有色冶煉、加工和回收工業(yè)中的各種分析。 |
可檢測(cè)基體 | 鐵基、銅基、鋁基、鎳基、鈷基、鎂基、鈦基、鋅基、鉛基、錫基、銀基。 |
光學(xué)系統(tǒng) | Paschen-Runge光學(xué)系統(tǒng) |
波長(zhǎng)范圍 | 165~580nm |
探 測(cè) 器 | 高性能CMOS陣列 |
光源類(lèi)型 | 數(shù)字光源,高能預(yù)燃技術(shù)(HEPS) |
放電頻率 | 100-1000Hz |
放電電流 | 大500A |
工作電源 | AC220V 50/60Hz 1200W |
儀器尺寸 | 620*495*270mm |
儀器重量 | 約35kg |
檢測(cè)時(shí)間 | 依據(jù)樣品類(lèi)型而定,一般20S左右 |
電極類(lèi)型 | 鎢材噴射電極 |
分析間隙 | 4mm |
其他功能 | 真空,溫度,軟件自動(dòng)控 壓力,通訊監(jiān)測(cè) |
2. NH-T4型全譜直讀光譜儀主要技術(shù)特點(diǎn)
氬氣循環(huán)
•優(yōu)異的光學(xué)密封性能可保持長(zhǎng)時(shí)間的氬氣純度。
•先進(jìn)的氬氣吹掃光學(xué)元件,優(yōu)化了UV元件的性能。
•氬氣循環(huán)過(guò)濾裝置可消除空氣分子,提高光學(xué)系統(tǒng)的可靠性。
•光學(xué)器件的穩(wěn)定壓力可避免光學(xué)漂移并提高儀器的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
•低氬消耗和經(jīng)濟(jì)效率。
CMOS全頻譜分析技術(shù)
•豐富的光譜,更好的分析準(zhǔn)確性。
•全譜區(qū)分背景,提高分析準(zhǔn)確性。
•智能選擇合適的敏感波長(zhǎng),應(yīng)用多光譜擬合技術(shù),對(duì)內(nèi)容的一般價(jià)值具有突出的性能。
•多光譜擬合技術(shù)的應(yīng)用消除了光譜的干擾,實(shí)現(xiàn)了準(zhǔn)確的測(cè)量。
原始實(shí)時(shí)智能漂移校正技術(shù)
•分析時(shí)實(shí)時(shí)頻譜漂移校正,增強(qiáng)儀器的穩(wěn)定性。
•自動(dòng)校準(zhǔn),操作更簡(jiǎn)便。降低標(biāo)準(zhǔn)化頻率。
專(zhuān)業(yè)和簡(jiǎn)化的操作軟件
•智能程序
智能選擇匹配程序以獲得更準(zhǔn)確的分析結(jié)果
啟用未知樣品的定量分析。
•質(zhì)量控制
根據(jù)用戶(hù)的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)輕松設(shè)置上限和下限。
自動(dòng)確定樣品成分是否通過(guò)。
•等級(jí)識(shí)別
快速識(shí)別樣品等級(jí)并輕松分類(lèi)未知材料。
•自動(dòng)診斷系統(tǒng)
軟件界面指示實(shí)時(shí)儀器運(yùn)行狀態(tài)。
警告儀器維護(hù)和清潔時(shí)間。
一鍵式操作
一鍵式操作,快速簡(jiǎn)便的操作,根據(jù)工廠要求調(diào)整。
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